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J-GLOBAL ID：201502205326301940   整理番号：15A0792637

P/Eサイクリング前後の3D SONOSメモリにおけるトンネル酸化膜とポリSiチャネル捕獲の評価

Assessment of tunnel oxide and poly-Si channel traps in 3D SONOS memory before and after P/E cycling

著者 (8件)： LEE K.H. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DEGRAEVE R. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  TOLEDANO-LUQUE M. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  ARREGHINI A. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  BREUIL L. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  BLOMME P. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  VAN den bosch G. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  VAN Houdt J. (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 147  ページ： 45-50  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレッシュ状態とプログラミング/消去サイクリング耐久応力印加後において,3D SONOS素子(マカロニvs.フルチャネル)の欠陥を包括的に研究した。使用した研究手法は,SiO₂/ポリSi界面捕獲評価のための電荷ポンピング,ポリSiチャネルにおける高速ランダムテレグラフ雑音(RTN)測定,およびトンネル酸化膜における捕獲評価のための電荷注入とセンシングによる捕獲分光法,の三つである。耐久応力印加後の界面捕獲数は,フルおよびマカロニチャネルの双方で同様に増大した。すべての素子とチャネルプロセスに対して,RTNはFermi準位近傍の捕獲によって決定付けられた。マカロニに対して,界面近傍ポリSi捕獲の小さな改善が検出された。耐久応力印加後,RTN捕獲特性には変化が無かった。耐久応力印加後のトンネル酸化膜中の捕獲生成は。両チャネルタイプにおいて同様の傾向に従っていた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  励起 ,  *不揮発性メモリ ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  データ消去 ,  データ書込 ,  三次元 ,  キャリア注入 ,  チャネル ,  耐久試験 ,  界面 ,  ポリシリコン ,  雑音 ,  雑音測定 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： *SONOSメモリ ,  トンネル酸化膜 ,  ランダムテレグラフノイズ ,  界面トラップ ,  電荷ポンピング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： サイクリング ,  3D ,  SONOSメモリ ,  トンネル酸化膜 ,  ポリSi ,  チャネル ,  捕獲 ,  評価