文献

J-GLOBAL ID：201502206784309719   整理番号：15A0804397

反応性プラズマによる磁性材料エッチング中におけるTaマスクにおける亜酸化物/亜窒化物形成

Suboxide/subnitride formation on Ta masks during magnetic material etching by reactive plasmas

著者 (4件)： LI Hu (Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka Univ., Yamadaoka 2-1, Suita 565-0871, JPN) ,  MURAKI Yu (Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka Univ., Yamadaoka 2-1, Suita 565-0871, JPN) ,  KARAHASHI Kazuhiro (Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka Univ., Yamadaoka 2-1, Suita 565-0871, JPN) ,  HAMAGUCHI Satoshi (Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka Univ., Yamadaoka 2-1, Suita 565-0871, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 4  ページ： 040602-040602-5  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一酸化炭素及びアンモニア(CO/NH₃)あるいはメタノール(CH₃OH)プラズマによる磁気抵抗ランダムアクセスメモリエッチングプロセスに使われるタンタル(Ta)マスクのエッチング特性を,in situ表面分析により,質量選択イオンビーム実験により調べた。初期の研究において,このプラズマによる磁性材料,すなわち,Fe,Ni,Co,及びそれらの合金のエッチングが,ほとんど物理的スパッタリングによるものであり,プロセスのエッチ選択性が,Taのようなハードマスク材料のエッチ抵抗(すなわち,低スパッタリング収率)から生じることを示唆した。本研究において,高エネルギーCO⁺あるいはN⁺イオン,亜酸化物あるいは亜窒化物が,Ta表面に形成され,Taの見かけの収率を低減することを示した。高エネルギーCO⁺あるいはN⁺イオンによるTaのスパッタリング収率が,イオン入射の角度に強い依存性をもつことを示し,スパッタリング収率と亜酸化物あるいは亜窒化物におけるTaの酸化状態との間の相関を示唆した;Taの酸化状態が高くなると,スパッタリング収率は低くなった。これらのデータは,CO/NH₃及びCH₃OHプラズマによる観測されたエッチ選択性を説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MRAM ,  *タンタル ,  *マスク ,  *エッチング ,  *一酸化炭素 ,  *アンモニア ,  *プラズマエッチング ,  表面分析 ,  イオンビーム ,  スパッタリング ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *収率 ,  状態 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *スパッタリング収率 ,  *亜酸化物 ,  *亜窒化物 ,  酸化状態 ,  磁気抵抗RAM

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性プラズマ ,  磁性材料 ,  エッチング ,  Ta ,  マスク ,  亜酸化物 ,  窒化物