DENG Wei について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
YANG Dongsheng について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
UENO Tomohiro について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
UENO Tomohiro について
ADVANTEST Corp., Gunma, JPN について
SIRIBURANON Teerachot について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
KONDO Satoshi について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
KONDO Satoshi について
Toshiba Corp., Tokyo, JPN について
OKADA Kenichi について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
MATSUZAWA Akira について
Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について
IEEE Journal of Solid-State Circuits について
位相同期ループ について
ディジタル方式 について
CMOS構造 について
DA変換器 について
可変容量ダイオード について
ゲート【半導体】 について
発振器 について
注入同期 について
論理合成 について
ジッタ について
消費電力 について
電圧変動 について
温度変動 について
面積 について
標準電池 について
レイアウト について
位置決め について
超LSI について
位相雑音 について
NAND回路 について
ADPLL について
結合発振器 について
低電力 について
プロセス変動 について
小面積 について
DCO について
半導体集積回路 について
ゲート について
エッジ について
注入 について
補間 について
位相 について
結合発振器 について
DAC について
微細 について
分解能 について
ディジタル について
バラクタ について
ディジタルPLL について