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J-GLOBAL ID:201502207496861004   整理番号:15A1368270

ホールを増大するためグラフォエピタクシャルに方向付けた自己集合における表面エネルギー変調の実行

Implementation of surface energy modification in graphoepitaxy directed self-assembly for hole multiplication
著者 (10件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 06F301-06F301-9  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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円柱相のブロック共重合体を使ってグラフォエピタクシャルに方向付けた自己集合プロセスは,将来の集積回路で不規則に分布したコンタクトホールをパターン化する有望は方法である。しかし,円柱プロファイルと開いたホールの比率が制御されることは,素子作成でこの手法を実行する前に証明する必要がある。計算シミュレーション研究により,テンプレートの底と側壁の表面エネルギーを選択的に制御することが,十分な範囲のテンプレート寸法とブロック共重合体充填レベルの垂直円柱を実現するとき重要になると予測した。本研究では,テンプレート内部の集合体の形態に表面エネルギーが及ぼす影響の実験研究を行った。これを研究するため,専用の表面エネルギー変調を我々のプロセスフローで実行した。テンプレートの底と側壁の表面エネルギーの選択的な制御はランダム高分子ブラシを使って行った。方向付けた自己集合の前に表面エネルギーを最適化すれば,集合体の3次元形態を改善でき,テンプレート寸法とテンプレート充填の点で大きいプロセス窓が可能となる。また,多数ブロックに対して親和性がある側壁ではより小さいプリパターンテンプレートが可能となる。(翻訳著者抄録)
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固体デバイス製造技術一般 
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