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J-GLOBAL ID：201502207559394770   整理番号：15A1368316

高マンガンシリサイドMn₄Si₇薄膜の超高真空蒸着

Ultrahigh vacuum deposition of higher manganese silicide Mn₄Si₇ thin films

著者 (4件)： DULAL Rajendra P. (Dep. of Physics, The Catholic Univ. of America, Washington, DC 20064 and The Vitreous State Lab., The Catholic Univ. ...) ,  DAHAL Bishnu R. (Dep. of Physics, The Catholic Univ. of America, Washington, DC 20064 and The Vitreous State Lab., The Catholic Univ. ...) ,  PEGG Ian L. (Dep. of Physics, The Catholic Univ. of America, Washington, DC 20064 and The Vitreous State Lab., The Catholic Univ. ...) ,  PHILIP John (Dep. of Physics, The Catholic Univ. of America, Washington, DC 20064 and The Vitreous State Lab., The Catholic Univ. ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 6  ページ： 060603-060603-3  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1 ×10^-9Torrのベース圧力で超高真空蒸着を使ってシリコン(100)基板上へ高マンガンシリサイドMn₄Si₇薄膜の一つを成長させることに成功した。膜厚は65nmから100nmまで変化した。これら膜は正方晶結晶構造を示し,化学量論Mn₄Si₇系で予測されている常磁性挙動を見せる。これらは室温で3.32×10^-5Ωmの抵抗率を持ち,半金属性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ化物 ,  マンガン化合物 ,  *真空蒸着 ,  膜厚 ,  正方晶系 ,  常磁性 ,  電気抵抗率 ,  半金属 ,  曲線
準シソーラス用語： *ケイ化マンガン ,  シリコン基板 ,  磁化曲線

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： マンガン ,  シリサイド ,  薄膜 ,  高真空 ,  蒸着