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J-GLOBAL ID：201502207559959912   整理番号：15A0336800

プラズマCVDにより作製したa-C:H膜の空孔型欠陥に及ぼす重水素導入効果

Effect of incorporation of deuterium on vacancy-type defects of a-C:H films prepared by plasma CVD

著者 (5件)： OZEKI K. (Dep. of Mechanical Engineering, Ibaraki Univ., 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki 316-8511 Japan) ,  SEKIBA D. (Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  UEDONO A. (Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  HIRAKURI K.K. (Tokyo Denki Univ., Senju, Adachi-ku, Tokyo 120-8551, JPN) ,  MASUZAWA T. (Dep. of Mechanical Engineering, Ibaraki Univ., 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki 316-8511 Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 330  ページ： 142-147  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₄/CD₄およびCH₄/D₂のソースガスからプラズマ化学気相成長法(PECVD)を用いて,重水素化アモルファスカーボン(a-C:D)膜を調製した。CH₄/CD₄については,CD₄/(CH₄+CD₄)の流量比を0から100%まで変えた。CH₄/D₂については,流量比を増すとともにD₂の追加のガス分圧を1から7Paまで増加し,CH₄のガス分圧と流量比をそれぞれ10Paおよび10sccmに維持した。膜中の炭素(C)に対する水素(H)と重水素(D)の相対濃度および膜密度は,弾性反跳粒子検出法(ERDA)およびRutherford後方散乱分光法(RBS)によって決定した。膜の空孔型欠陥を測定するために,陽電子消滅分光(PAS)を行った。PASの測定から得たSの値は膜中の空孔型欠陥に関係した。また,ナノインデンタを用いて膜硬度を測定した。CH₄/CD₄については,膜中のD濃度はCD₄/(CH₄+CD₄)ガス比率が増加したときに増大したが,Hの濃度は減少した。CH₄/D₂については,膜中のD濃度はD₂分圧の増大とともに増大したが,Hの濃度は減少した。PASの結果から,CH₄/CD₄についてのS値は,CD₄/(CH₄+CD₄)ガス比の増加とともに増加したが,CH₄/D₂については,どのようなD₂分圧でも変化しなかった。膜の硬さと密度は,CH₄/D₂についてはCD₄/(CH₄+CD₄)ガス比が増加したときは減少したが,CH₄/D₂についてはどのようなD₂分圧でも変化しなかった。S値,膜硬度と膜密度の間には相関があるが,S値,膜硬度と膜密度は,膜中のD濃度に無関係であることを見出した。これらの知見は,水素化アモルファスカーボン膜の空孔型欠陥の情報がその機械的特性および密度を評価する上で極めて重要であることを示唆する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  *水素化物 ,  *空孔欠陥 ,  *重水素 ,  *ドーピング ,  *プラズマCVD ,  放射線吸収・散乱分析 ,  *ナノインデンテーション ,  *微小硬さ ,  密度 ,  *Rutherford後方散乱 ,  *陽電子消滅 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： *アモルファスカーボン

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマCVD ,  作製 ,  空孔 ,  欠陥 ,  重水素 ,  導入効果