YAMAHARA H. について
Inst. of Engineering Innovation, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo ... について
SEKI M. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について
ADACHI M. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について
TAKAHASHI M. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について
NASU H. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について
HORIBA K. について
KEK, Photon Factory, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, JPN について
KUMIGASHIRA H. について
KEK, Photon Factory, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, JPN について
TABATA H. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ... について
Journal of Applied Physics について
磁鉄鉱 について
チタン について
置換 について
半導体薄膜 について
スピンガラス について
極性 について
原子価 について
パルスレーザ蒸着 について
熱起電力 について
X線吸収スペクトル について
フェリ磁性 について
磁化 について
磁化率 について
熱履歴 について
記憶効果 について
残留磁化 について
減衰時間 について
クラスタ について
酸化鉄 について
キャリア状態 について
スピンクラスタ について
マグネタイト について
メモリ効果 について
原子価状態 について
交流磁化率 について
四三酸化鉄 について
酸化物結晶の磁性 について
ランダム系一般 について
キャリア について
極性 について
半導体薄膜 について
スピングラス について
挙動 について