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J-GLOBAL ID：201502208610150128   整理番号：15A0999880

(0001)サファイア基材に成長したβ-AlN薄膜の構造の評価

Structural Evaluation of β-AlN Films Grown on Sapphire (0001) Substrates

著者 (7件)： YOSHIDA Tomohiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHIDA Tomohiro (Kurume Nat. Coll. Tech., Kurume, JPN) ,  UEDA Yutaro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  DAIO Takeshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOMINAGA Aki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKAJIMA Toshihiro (Saga Light Source, Saga, JPN) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 40  号： 3  ページ： 191-194  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 焼結AlNターゲットを使用して,滑らかな表面のサファイア(0001)基材にいろいろな厚さのβ-AlN薄膜をパルスレーザー堆積法で窒素雰囲気で育てた。それらの薄膜をX線回折と透過電子顕微鏡で評価した。基材との界面の近くのサファイア(0001)上に7.89Aの格子定数を持つ閃亜鉛鉱-タイプのβ-AlNがエピタキシャルに育てられた。最密充填面に沿ったその領域の電子回折像は転位欠陥で引き起こされるストリーキングスポットを示した。他方では膜厚の増加とともにAlN薄膜の上部領域は多結晶になり,同時にそこではストリーキングは見えなくなった。界面近傍の転位欠陥は大きい格子不整合のため,もしくは最密パッチング連鎖のシフトのためであるかもしれない。それらは多結晶領域で見えなくなる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *窒化アルミニウム ,  *半導体薄膜 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *結晶構造 ,  格子定数 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  エピタクシー ,  転位【結晶】 ,  *欠陥 ,  加工欠陥 ,  格子不整合 ,  *多結晶 ,  *微細構造 ,  界面
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *ストリーキング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  成長 ,  AlN ,  薄膜 ,  評価