文献

J-GLOBAL ID：201502208848530565   整理番号：15A0792706

抵抗ランダムアクセスメモリ用酸化物の材料選択のAb initio計算

Ab initio calculations of materials selection of oxides for resistive random access memories

著者 (2件)： GUO Yuzheng (Engineering Dept, Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR) ,  ROBERTSON John (Engineering Dept, Cambridge Univ., Cambridge CB2 1PZ, GBR)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 147  ページ： 339-343  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)における様々な原子過程のエネルギーを,材料選択プロセスを明確にするために,典型的な4種の酸化物,HfO₂,TiO₂,Ta₂O₅,およびAl₂O₃,について計算した。酸素空孔はO欠乏限界において欠陥形成エネルギーが最も低く,形成過程を支配している。バンドダイアグラムからFermiエネルギーとO化学ポテンシャルの操作範囲が決まる。スカベンジャー金属を使ってどのようにO化学ポテンシャルを変化させ,O空孔形成エネルギーを変えるのかを示した。Ta₂O₅のアモルファス相は高い安定性があり,そのRRAMの高い耐久性に対応している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *RAM【メモリ】 ,  *フィラメント ,  *空格子点 ,  *スイッチング素子 ,  過程 ,  成長 ,  欠陥密度 ,  エネルギー ,  化学ポテンシャル ,  選択 ,  *絶縁膜 ,  酸化ハフニウム ,  酸化チタン ,  *酸化タンタル ,  酸化アルミニウム ,  *計算 ,  第一原理 ,  スカベンジャー ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  酸化物 ,  遷移金属化合物
準シソーラス用語： *RRAM ,  形成エネルギー ,  欠陥形成 ,  材料選択 ,  *酸素空孔 ,  *ab initio計算 ,  抵抗スイッチング ,  遷移金属酸化物

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  酸化物 ,  材料選択 ,  計算