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J-GLOBAL ID：201502209276514454   整理番号：15A1070414

ハイサイド応用のための浅トレンチアイソレーションをもつn型横DMOSトランジスタのホットキャリア誘起オン抵抗劣化

Hot-Carrier-Induced On-Resistance Degradation of n-Type Lateral DMOS Transistor With Shallow Trench Isolation for High-Side Application

著者 (8件)： SUN Weifeng (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG Chunwei (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LIU Siyang (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SHI Longxing (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SU Wei (CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN) ,  ZHANG Aijun (CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN) ,  WANG Shaorong (CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN) ,  MA Shulang (CSMC Technol. Corp., Wuxi, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15  号： 3  ページ： 458-460  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅トレンチアイソレーション(STI)ハイサイドn型横DMOS(HS-nLDMOS)トランジスタのホットキャリア誘起ハイサイド及びローサイドオン抵抗劣化を詳細に研究した。結果は,支配的なオン抵抗劣化が,最大基板電流条件におけるSTIコーナーにおける界面状態生成であることを実証した。ローサイドオン抵抗測定条件と較べて,STIコーナーにおける電流分布は,ハイサイドオン抵抗測定条件下におけるSi/SiO₂界面により近かった。結果として,ハイサイドオン抵抗劣化に及ぼす生成界面状態の影響は,ローサイドオン抵抗劣化に及ぼすよりも大きかった。

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  *劣化 ,  *N型半導体 ,  横型 ,  *MOSFET ,  *アイソレーション【IC】 ,  *トレンチカット【加工】 ,  *オン抵抗 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  電流分布 ,  電力管理 ,  *信頼性 ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： LDMOSFET ,  STI【アイソレーション】 ,  TCAD

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ホットキャリア ,  誘起 ,  オン抵抗