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J-GLOBAL ID：201502209292418341   整理番号：15A0792704

CMOS両立プロセスを用いた共通の高κゲート誘電体を有する自己整合反転チャンネルn-InGaAS,p-GaSbおよびp-Ge MOSFET

Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process

著者 (14件)： FU C.H. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan) ,  LIN Y.H. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan) ,  LEE W.C. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  LIN T.D. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan) ,  CHU R.L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  CHU L.K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  CHANG P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  CHEN M.H. (Graduate Inst. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan) ,  HSUEH W.J. (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan) ,  CHEN S.H. (National Nano Device Laboratories (NDL), Hsinchu, Taiwan) ,  BROWN G.J. (Air Force Res. Lab. (AFRL), Dayton, OH, USA) ,  CHYI J.I. (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan) ,  KWO J. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  HONG M. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 147  ページ： 330-334  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共通の高κゲート誘電体としてY₂O₃を,(In)GaAs,GaSb,およびGe上に,超高真空中で,電子ビーム蒸発によって直接蒸着した。これらの半導体はそれぞれ異なった化学結合と表面電子特性を有している。界面パッシベーション層は用いなかった。CMOS両立プロセスに本質的に重要な低い界面トラップ密度と高温での温度安定性を有する高品質Y₂O₃/半導体界面を実現した。自己整合反転チャンネルのn-InGaAS,p-GaSbおよびp-Ge MOSFETを作成し,優れた素子性能を得た。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  酸化ハフニウム ,  不動態化 ,  半導体プロセス ,  *酸化イットリウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ゲルマニウム ,  酸化アルミニウム ,  反転層 ,  キャリア捕獲 ,  安定性 ,  容量電圧特性 ,  コンダクタンス ,  電子ビーム蒸着 ,  *MOSFET ,  超高真空 ,  両立性
準シソーラス用語： パッシベーション ,  温度安定性 ,  界面トラップ ,  *高κゲート誘電体 ,  電子ビーム蒸発 ,  CMOSプロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： CMOS ,  プロセス ,  高κゲート誘電体 ,  自己整合 ,  反転 ,  チャンネル ,  InGaAs ,  GaSb ,  Ge ,  MOSFET