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J-GLOBAL ID：201502209407283429   整理番号：15A1070396

ナノスケールNANDフラッシュメモリに関する固有電荷損失機構の分析

Analysis of Intrinsic Charge Loss Mechanisms for Nanoscale NAND Flash Memory

著者 (7件)： LIM Jun Yeong (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  MOON Pyung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sang Myung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  NOH Keum-Whan (SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR) ,  YOUN Tae-Un (SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR) ,  KIM Jong-Wook (SK Hynix Semiconductor Inc., Chungcheongbuk, KOR) ,  YUN Ilgu (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15  号： 3  ページ： 319-325  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールフローティングゲート(FG)NANDフラッシュメモリに関する固有電荷損失機構を提案した。ナノスケール素子の劣化特性が,スケールダウンが進行するにつれて,一つの機構のみによっては十分に説明できないことを見出した。トラップ支援トンネリング及びPoole-Frenkel(PF)機構の組み合わせが,各種温度及び厚さにおけるべーキング時間に応じたFGの電荷損失を十分に説明できた。温度上昇につれて,PFの部分は,各機構に特有の時定数に基づいて増加した。EOTの減少につれて,PF機構も重要な漏れ因子となった。

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *損失 ,  *フラッシュメモリ ,  *NAND回路 ,  *データ書込 ,  *データ読取 ,  *劣化 ,  CAD【計算機】 ,  ナノ構造 ,  フローティングゲート ,  *保持 ,  *酸化膜 ,  絶縁膜 ,  電圧 ,  シミュレーション ,  膜厚 ,  漏れ電流 ,  テスト構造 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  Poole-Frenkel効果 ,  *トンネル接合 ,  *電荷移動
準シソーラス用語： 電荷損失 ,  NANDフラッシュ ,  TCAD ,  データ保持 ,  トンネル酸化膜 ,  閾値電圧 ,  等価酸化膜厚

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  NANDフラッシュメモリ ,  固有 ,  電荷損失 ,  分析