CHANG C.-y. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN について
ICHIKAWA O. について
JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN について
OSADA T. について
JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN について
HATA M. について
JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN について
YAMADA H. について
JST-CREST, K’s Gobancho, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076, JPN について
TAKENAKA M. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN について
TAKAGI S. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0032, JPN について
Journal of Applied Physics について
ヒ化ガリウムインジウム について
薄膜コンデンサ について
酸化ランタン について
化学蒸着 について
電気特性 について
状態密度 について
不動態化 について
捕獲中心 について
ヒステリシス について
漏れ電流 について
静電容量 について
深さプロフィル について
X線光電子分光法 について
表面準位 について
アルミナ について
MOS構造 について
MOSキャパシタ について
ゲートスタック について
界面状態 について
界面状態密度 について
界面層 について
原子層堆積 について
深さプロファイル について
金属-絶縁体-半導体構造 について
電子分光スペクトル について
原子層堆積 について
蒸着 について
Al2O3 について
La2O3 について
InGaAs について
ゲート について
積層体 について
酸化物 について
界面特性 について
界面層 について