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J-GLOBAL ID：201502209472815721   整理番号：15A1107267

走査型トンネル電子顕微鏡を用いた希釈GaNAsにおけるN不純物状態の直接的可視化

Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy

著者 (6件)： ISHIDA Nobuyuki (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan. [e-mail]) ,  JO Masafumi ,  MANO Takaaki ,  SAKUMA Yoshiki ,  NODA Takeshi ,  FUJITA Daisuke
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 40  ページ： 16773-16780  発行年： 2015年10月28日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V化合物における窒素(N)不純物状態間の相互作用は,ホスト材料の光電気特性を制御する上で,重要な役割を担う。本稿では,走査型トンネル電子顕微鏡を用いて,希釈GaNAにおけるN不純物状態の空間分布,及び,電子特性を分析した。多重経路走査法を用いて空状態電流画像を撮像することで,N不純物状態を直接可視化できることを,実証した。N不純物状態は,数ナノメートルにわたって拡張し,GaAs(110)表面上で,ボウタイ型形状を有する異方性が高い分布を示し,これは,{110}面内のGaとAs原子からなる波型鎖に沿った歪みの異方性伝播によって説明できる。本実験の知見は,ホスト材料の特性の改質において,N不純物状態の想定される役割への強力な知見を,提供する。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *不純物準位 ,  *可視化 ,  *ヒ化ガリウム ,  *窒素 ,  化合物半導体 ,  画像 ,  *異方性 ,  電流
準シソーラス用語： 不純物状態 ,  電流画像 ,  表面異方性

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型 ,  トンネル ,  電子顕微鏡 ,  希釈 ,  不純物状態 ,  可視化