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J-GLOBAL ID：201502210666984734   整理番号：15A0476971

2重ゲートFinFETにおけるホットキャリア注入下のFin幅とバックバイアスの効果

Impact of Fin Width and Back Bias Under Hot Carrier Injection on Double-Gate FinFETs

著者 (3件)： CHANG Wen-Teng (National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN) ,  CIN Li-Gong (National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN) ,  YEH Wen-Kuan (National Univ. Kaohsiung, Taipei, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15  号： 1  ページ： 86-89  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来構造のプレーナートランジスタの短チャネル効果(SCE)を解決できるFinFETはチャネルが数個のゲートで囲まれており,フィンの幅(W_fin)の違いにより基本的に異なる特性を示すことになる。例えば,W_finを薄くすると準閾値のリーク電流とSCEを改善できるが,ホットキャリア劣化による大きな信頼性の低下を招く。本論文では,nチャネル2重ゲートFinFETについて,バックバイアスを印加してさらにホットキャリア注入(HCI)した状態で,10nmと25nmの異なるW_finの相違を比較した。広いW_finではより大きな電流調整幅を示すが正のバックバイアス時のオフ状態でより大きなリーク電流を示す。これは順方向バイアスされたp-nジャンクションとHCIによる大きな劣化による。ゲート起因のドレインリーク電流はHCI後の正のバックバイアスによる界面電荷の発生により顕著に劣化する。しかし,HCI時にホットホール注入をもたらす負のバックバイアスは,バイアス無しまたは正にバックバイスされたデバイスと比べ劣化を軽減できる。

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  *キャリア注入 ,  バイアス ,  振れ ,  相互コンダクタンス ,  *FET【トランジスタ】 ,  集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  フィン ,  素子構造 ,  *電場効果 ,  時間依存性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： FinFET ,  基板バイアス ,  閾電圧 ,  二重ゲート

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2重ゲート ,  FinFET ,  キャリア注入 ,  バック ,  バイアス