文献

J-GLOBAL ID：201502210886958786   整理番号：15A1057945

InGaN/GaN青色発光ダイオードに対する340keVのプロトン照射の影響

Effects of 340 keV proton irradiation on InGaN/GaN blue light-emitting diodes

著者 (7件)： KIM Byung-jae (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  HWANG Ya-hsi (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  AHN Shihyun (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  REN Fan (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  PEARTON Stephen J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611) ,  KIM Jihyun (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR) ,  JANG Tae Sung (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do 446-711, KOR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 5  ページ： 051215-051215-4  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN青色発光ダイオード(LED)の光学的および電気的性能に与えるプロトン照射の影響を調べた。InGaN/GaN青色LEDを,5×10¹⁰~1×10¹⁴/cm²の範囲の線量,340keVの固定したエネルギーのプロトンを用いて照射した。電流電圧(I-V)と光出力電流(L-I)の両特性は,プロトン線量を増すに従って次第に劣化した。LEDの光学的性能は,電気的性能よりもプロトン照射に対してより敏感であった。プロトン照射前後でのエレクトロルミネセンススペクトルと光出力性能は,同様な劣化傾向を示した。また,1×10¹⁴/cm²のプロトン照射前後の逆回復時間は,31.0nsから27.6nsへとわずかに減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *陽子照射 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  エレクトロルミネセンス
準シソーラス用語： *青色発光ダイオード ,  *プロトン照射 ,  InGaN

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  GaN ,  青色発光ダイオード ,  プロトン照射