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J-GLOBAL ID：201502210942875333   整理番号：15A0774867

LiGaO₂(100)基板に成長した非極性m面GaN発光ダイオードウェハの特性の研究

Investigation on the Properties of Nonpolar m-Plane GaN-Based Light-Emitting Diode Wafers Grown on LiGaO₂(100) Substrates

著者 (8件)： YANG Weijia (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  WANG Wenliang (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  LIN Yunhao (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  LIU Zuolian (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  ZHOU Shizhong (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  QIAN Huirong (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  LI Guoqiang (South China Univ. of Technol., State Key Lab. of Luminescent Materials and Devices, 510640, Guangzhou, CHN) ,  LI Guoqiang (South China Univ. of Technol., Dep. of Electronic Materials, School of Materials Sci. and Engineering, 510640 ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 8  ページ： 2670-2678  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LiGaO₂(100)基板上の高品質非極性m面GaN発光ダイオード(LED)ウェハをパルスレーザ堆積と分子線エピタキシー技術の組み合わせで成長した。成長した非極性m面GaNによるLEDウェハの光電子特性のみならず,結晶の品質,表面形態を組織的に調べた。LiGaO₂(100)基板上に成長した非極性m面GaNによるLEDウェハは約10⁸cm^-2の推定転位密度と急峻なInGaN/GaN界面のよい構造特性を示した。約446nmの光ルミネセンスのピークと21.2nmの半値全幅(FWHM)を室温で確認した。20mAの注入電流で強い電界発光(EL)のピークが446nmで20.7nmのFWHMで得られた。更に,注入電流の増加によりEL放出波長における若干の青方偏移があり,一方量子閉じ込Stark効果の欠如によりELのFWHMは安定に維持できた。高品質の非極性m面GaNによるLEDの研究は高効率GaNによる素子の将来の応用にとって非常に重要である。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  非極性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  MBE成長 ,  転位密度 ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス
準シソーラス用語： *GaN ,  パルスレーザ堆積 ,  電界発光 ,  分子線エピタクシー

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  非極性 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  ウェハ ,  研究