オキシヒドリドATiO<sub>3-x</sub>H<sub>x</sub>(A=BaとSr)のエピタキシャル薄膜の電気的性質

BOUILLY Guillaume; YAJIMA Takeshi; YAJIMA Takeshi; TERASHIMA Takahito; YOSHIMUNE Wataru; NAKANO Kousuke; TASSEL Cedric; KUSUSE Yoshiro; FUJITA Koji; TANAKA Katsuhisa; YAMAMOTO Takafumi; KOBAYASHI Yoji; KAGEYAMA Hiroshi; KAGEYAMA Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：201502211277192722 整理番号：15A1203419

オキシヒドリドATiO_3-xH_x(A=BaとSr)のエピタキシャル薄膜の電気的性質

Electrical Properties of Epitaxial Thin Films of Oxyhydrides ATiO_3-xH_x (A = Ba and Sr)

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資料名：
巻： 27 号： 18 ページ： 6354-6359 発行年： 2015年09月22日
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ペロブスカイト構造をもつ,アルカリ土類金属チタン酸塩ATiO₃(A=Ba,Sr,Ca)は,幅広い新しい化学的物理的特性のため,基礎的技術的に重要な材料である。著者らは,PLD(パルスレーザー沈着)により沈着したエピタキシャル薄膜を用いて,様々なヒドリド量のペロブスカイトオキシヒドリドATiO3_-xH_x(A=Sr,Ba)の電気的性質を試験した。SrTiO3_-xH_xにて,金属状態は,H^-置換の2%以下で達成されたが,BaTiO3_-xH_xでは,H^-置換の~5~8%でも半導体で止まった。SrとBa系間の差異は,恐らく別の局所構造から生じ,ATi_1-xNb_xO₃で起こると報告されているが,Ba化合物に対してのギャップ状態(ポーラロン)の存在が電子を局在化する。ATiO3_-xH_xとATi_1-xNb_xO₃での,A=BaとSr系間の輸送特性の類似性は,広く検討されたカチオン置換ペロブスカイト酸化物での,構造と特性の深い知識は,アニオン(ヒドリド)置換にも,様々な面で適用し得ることを示す。結晶膜での局所ゆがみをプローブする,最近開発されたPDF(対分布関数)技術は,BaTiO3_-xH_x膜での提唱局所無秩序を確認させると思われ,将来行う予定。混合アニオン組成(オキシニトリド,オキシフルオリド或はオキシヒオリド)のペロブスカイトに対するエピタキシャル薄膜の検討は,少ないが増えている。特に,薄膜のひずみエネルギー制御は,アニオン局所構造とアニオン秩序/無秩序制御に有効であることが示された。様々な単結晶基質を,オキシヒドリドエピタキシャル薄膜での歪効果を検討するために利用することは,面白い。

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酸化物薄膜 , 磁性材料 , 塩基,金属酸化物

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オキシヒドリドATiO3-xHx(A=BaとSr)のエピタキシャル薄膜の電気的性質

オキシヒドリドATiO_3-xH_x(A=BaとSr)のエピタキシャル薄膜の電気的性質