文献

J-GLOBAL ID：201502211609448971   整理番号：15A0936562

高エネルギー電子ビームリソグラフィーにおける絶縁基板上の帯電効果を抑制する方法【Powered by NICT】

A method to restrain the charging effect on an insulating substrate in high energy electron beam lithography

著者 (5件)： Yu Mingyan (Harbin Univ. of Sci. and Technol. The Higher Educational Key Lab. for Measuring & Control Technol. and ...) ,  Zhao Shirui (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...) ,  Jing Yupeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...) ,  Shi Yunbo (Harbin Univ. of Sci. and Technol. The Higher Educational Key Lab. for Measuring & Control Technol. and ...) ,  Chen Baoqin (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronics Devices & Integrated Technol. ...)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 35  号： 12  ページ： 126002-1-126002-6  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 帯電効果によるパターン歪を絶縁基板上に電子ビームリソグラフィープロセスを用いて,低減すべきである。スピンコーティングした導電層としてSX ARPC5000/90(1)溶液を用いて,フェイズドアレイ素子応用のためのガラス上のポリメタクリル酸メチル高分子レジストのナノスケールパターンの作製を助けるのに,による新規プロセスを開発した。この方法は絶縁基板上の帯電効果の影響を効果的に抑制することができる。実験結果は,この新規プロセスが,レジストパターンと電子ビーム主フィールドスチッチング誤差の歪の問題を解決し,このようにして電子ビームリソグラフィーシステムのつなぎ及びオーバレイの精度を確保できることを示した。新しいプロセスの主な特徴は,クリーンルーム内の多層半導体プロセスと互換性があり,,グリーンプロセス,非常に簡単,迅速,低コストであるということである。基板を絶縁に及ぼすデバイス開発で広い範囲を提供することができる,高密度バイオチップ,フレキシブルエレクトロニクスと液晶ディスプレイスクリーンなど。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スピンコーティング ,  *電子ビームリソグラフィー ,  半導体プロセス ,  *電子ビーム ,  液晶ディスプレイ ,  互換性 ,  ポリメタクリル酸メチル
準シソーラス用語： 高密度 ,  デバイス ,  *高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高エネルギー ,  電子ビームリソグラフィー ,  絶縁基板 ,  帯電