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J-GLOBAL ID：201502211688604761   整理番号：15A0556267

ポストCMP in situクリーニングにおけるクロスコンタミネーション効果の研究

Study of the cross contamination effect on post CMP in situ cleaning process

著者 (6件)： KIM Hong Jin (Advanced Module Engineering (AME), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA) ,  BOHRA Girish (Technol. Dev. Yield Enhancement (TDYE), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA) ,  YANG Hyucksoo (Technol. Dev. Yield Enhancement (TDYE), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA) ,  AHN Si-Gyung (Advanced Module Engineering (AME), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA) ,  QIN Liqiao (Advanced Module Engineering (AME), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA) ,  KOLI Dinesh (Advanced Module Engineering (AME), GLOBALFOUNDRIES, 400 Stone Break Road Extension, Malta, NY 12020, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 136  ページ： 36-41  発行年： 2015年03月25日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート長の縮小は半導体デバイスの性能を顕著に向上させた。しかし,製造の複雑さもまた増加し,表面欠陥の制御が歩留まり向上のために大変重要になってきた。特に,化学機械研磨(CMP)プロセスはウエハ表面の汚染に対して最も汚いプロセスの一つだと考えられている。そしてブラシ洗浄が,ポストCMP in situクリーニング用に最も有効な方法である。多くの文献でそのブラシ洗浄の機構が報告されており,ポストCMPブラシ洗浄後の残留パーティクルに基づいたパーティクルの除去効率が提出されている。しかし,ウエハ表面の汚染に対するブラシに関連した配慮については,実際の製造ではその影響について多くの課題が存在するにもかかわらず,適切に取り上げられて来なかった。この論文では,ブラシ洗浄プロセスにおけるクロスコンタミネーションについて論じ,最適なブラシ洗浄ではブラシのパーティクル除去効率の他にブラシからのクロスコンタミネーションを配慮しなければならないことを強調した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化学機械研磨 ,  後処理 ,  *洗浄 ,  *ブラシ掛け ,  不純物 ,  *粒状物汚染 ,  器具 ,  *ウエハ【IC】 ,  表面 ,  浄化 ,  除去
準シソーラス用語： CMP【化学研磨】 ,  クロスコンタミネーション ,  異物除去 ,  汚染物質除去 ,  微粒子汚染

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMP ,  クリーニング ,  クロスコンタミネーション ,  研究