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J-GLOBAL ID：201502212737561387   整理番号：15A0447002

28nm高k金属ゲート技術における欠陥不動態化のためのゲートスタック内のフッ素界面処理

Fluorine interface treatments within the gate stack for defect passivation in 28 nm high-k metal gate technology

著者 (9件)： DRESCHER Maximilian (Fraunhofer IPMS-CNT, Koenigsbrueckerstrasse 178, 01099 Dresden, DEU) ,  NAUMANN Andreas (Fraunhofer IPMS-CNT, Koenigsbrueckerstrasse 178, 01099 Dresden, DEU) ,  SUNDQVIST Jonas (Fraunhofer IPMS-CNT, Koenigsbrueckerstrasse 178, 01099 Dresden, DEU) ,  ERBEN Elke (Globalfoundries, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, DEU) ,  GRASS Carsten (Globalfoundries, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, DEU) ,  TRENTZSCH Martin (Globalfoundries, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, DEU) ,  LAZAREVIC Florian (MATcalc, GWT-TUD, Annabergerstrasse 240, 09125 Chemnitz, DEU) ,  LEITSMANN Roman (MATcalc, GWT-TUD, Annabergerstrasse 240, 09125 Chemnitz, DEU) ,  PLAENITZ Philipp (MATcalc, GWT-TUD, Annabergerstrasse 240, 09125 Chemnitz, DEU)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 2  ページ： 022204-022204-6  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥不動態化のための気体熱NF₃界面処理によるゲート誘電体へのフッ素組み込みの新しい方法を,素子信頼性の改善に関する28nm高k金属ゲート技術で研究した。熱処理は,以前のプラズマ支援フッ素処理で観測された物理的界面再成長を抑制した。分光学的電荷励起による詳細な欠陥特性評価を用いて,界面酸化物層におけるトラップ状態に及ぼすフッ素の影響を特性評価した。バイアス温度不安定性測定と結びついた総合的な構造的及び電気的特性評価は,ゲート誘電体へのフッ素の気体導入による高k金属ゲート技術における信頼性を改善する可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *欠陥 ,  *不動態化 ,  *フッ素化 ,  表面処理 ,  フッ化窒素 ,  信頼性 ,  酸化ハフニウム ,  *CMOS構造 ,  *MOSFET ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  *金属ゲート ,  *高k誘電体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属ゲート ,  欠陥 ,  不動態化 ,  ゲートスタック ,  フッ素 ,  界面