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J-GLOBAL ID：201502212844723900   整理番号：15A1332855

Ni(111)上Ni₂SiとNi₂Ge規則性(√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)R30°相の低エネルギー電子回折による構造決定

Structure determination of the ordered (√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)R30°phase of Ni₂Si and Ni₂Ge surface alloys on Ni(111) via low-energy electron diffraction

著者 (3件)： RAHMAN Md. Sazzadur (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKAGAWA Takeshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIZUNO Seigi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 642  ページ： 1-5  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *基板 ,  *ニッケル ,  *結晶面 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *吸着 ,  *焼なまし ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  構造 ,  *合金化 ,  *低速電子回折 ,  結晶格子 ,  比率 ,  化学組成 ,  結晶構造 ,  置換 ,  波形 ,  核間距離 ,  原子間相互作用 ,  *金属基板 ,  *ケイ化ニッケル ,  二次元構造 ,  *表面合金化 ,  原子比 ,  単位格子 ,  FCC構造 ,  *改変
準シソーラス用語： *アニーリング処理 ,  *低エネルギー電子回折 ,  単位胞 ,  面心立方構造

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  塩  (CD01050V) ,  電子回折法  (BK01030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ni ,  規則性 ,  低エネルギー電子回折