文献

J-GLOBAL ID：201502213006027567   整理番号：15A1310251

低圧化学蒸着Si₃N₄ゲート誘電体と標準的フッ素イオン注入を用いて作製したノーマリオフAlGaN/GaN MIS高電子移動度トランジスタ

Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si₃N₄ Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation

著者 (15件)： ZHANG Zhili (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  ZHANG Zhili (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  FU Kai (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  DENG Xuguang (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  ZHANG Xiaodong (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  FAN Yaming (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  SUN Shichuang (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  SUN Shichuang (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  SONG Liang (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  SONG Liang (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XING Zheng (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  HUANG Wei (Wuxi Jingkai Technol. Co., Ltd., Wuxi, CHN) ,  YU Guohao (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  CAI Yong (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN) ,  ZHANG Baoshun (Suzhou Inst. Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. Sci., Suzhou, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 11  ページ： 1128-1131  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 作製プロセスが簡易かつ閾値電圧が高い,ノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製技術を提示した。標準的なフッ素イオン注入を用い,低圧化学蒸着装置により,ヘテロ構造上にゲート誘電体およびエネルギー吸収層としてケイ素窒化物層を堆積した。閾値電圧として+3.3V,200mA/mmを超える最大ドレイン電流,オンオフ電流比10⁹を示した。また,500Vオフ状態V_DSストレス後の動的オン抵抗R_ONは静的R_ONのわずか1.5倍であった。

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *イオン注入 ,  フッ素 ,  *LPCVD ,  窒化ケイ素 ,  電圧 ,  *モード ,  改良
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *エンハンスメントモード ,  プロセス改善 ,  *窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 低圧化学蒸着 ,  Si3N4 ,  ゲート誘電体 ,  標準 ,  フッ素 ,  イオン注入 ,  作製 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  高電子移動度トランジスタ