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J-GLOBAL ID：201502213795539798   整理番号：15A0939818

三次元相互配線におけるエレクトロマイグレーションに起因した故障の動作中キャラクタリゼーション:微細構造の影響

Electromigration-induced failure in operando characterization of 3D interconnects: microstructure influence

著者 (12件)： GOUSSEAU Simon (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA) ,  GOUSSEAU Simon (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  GOUSSEAU Simon (MINES ParisTech CEMEF, UMR CNRS 7635, 1 rue Claude Daunesse, CS 10207, 06904 Sophia Antipolis Cedex, FRA) ,  MOREAU Stephane (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  BOUCHU David (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  FARCY Alexis (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, FRA) ,  MONTMITONNET Pierre (MINES ParisTech CEMEF, UMR CNRS 7635, 1 rue Claude Daunesse, CS 10207, 06904 Sophia Antipolis Cedex, FRA) ,  INAL Karim (MINES ParisTech CEMEF, UMR CNRS 7635, 1 rue Claude Daunesse, CS 10207, 06904 Sophia Antipolis Cedex, FRA) ,  BAY Francois (MINES ParisTech CEMEF, UMR CNRS 7635, 1 rue Claude Daunesse, CS 10207, 06904 Sophia Antipolis Cedex, FRA) ,  ZELSMANN Marc (LTM-CNRS, CEA, LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex, FRA) ,  PICARD Emmanuel (CEA, INAC, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  SALAUN Mathieu (Inst. Neel, 25 rue des Martyrs, BP 166, 38042 Grenoble Cedex 9, FRA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 8  ページ： 1205-1213  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロマイグレーションによる故障に関する予測可能なモデルを開発するためには,その現象に対する正確な知識が必要になる。それゆえ,今までは不可能であった,動作中(in operando)にSEMで観測する方法を考案した。「高密度」シリコン貫通ビア(TSV)を有する試験構造について,623Kにおいて1MA/cm²の電流密度で試験した。通常の顕微鏡像からTSV上部の銅配線中での強制的なボイド形成とその成長の過程を知ることができる。ボイドの成長と電気的な抵抗の一つとは明瞭な関係がある。故障機構に関する試験条件の欠如の影響について示した。最後に,パターンが後退してしまう機構に関する微細構造の影響を論じた。結晶粒界はボイドが優先的に形成される場所であり,ボイドの成長に影響を与える。結晶粒径と結晶学的方位に関する推定される影響について明らかにした。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エレクトロマイグレーション ,  その場観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  配線 ,  *相互接続 ,  三次元 ,  高密度実装 ,  *故障解析 ,  信頼性 ,  故障 ,  機構 ,  *微細構造 ,  キャラクタリゼーション ,  *顕微鏡観察 ,  テスト構造 ,  核形成 ,  パターン形成 ,  縮退 ,  劣化
準シソーラス用語： 故障機構

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 相互配線 ,  エレクトロマイグレーション ,  起因 ,  故障 ,  キャラクタリゼーション ,  微細構造