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J-GLOBAL ID：201502213828959967   整理番号：15A0456106

プラズマ損傷シリコン表面のレーザアニーリング

Laser annealing of plasma-damaged silicon surface

著者 (3件)： SAMESHIMA T. (Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Tokyo, 184-8588, JPN) ,  HASUMI M. (Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Tokyo, 184-8588, JPN) ,  MIZUNO T. (Kanagawa Univ., Kanagawa, 259-1293, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 336  ページ： 73-78  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 120秒間50Wでの13.56MHz容量結合Arプラズマ照射は,n型500μm厚シリコン基板に対するSiO₂/Si界面で厳しい損傷を起こした。Arプラズマ照射により,635nm光誘起少数キャリア有効寿命(τ_eff)は,1.7×10^-3s(初期)から1.0×10^-5sへ減少した。更に,バイアス電圧の関数としての1MHz交流電圧での容量応答(C-V)は,中ギャップでの電荷注入型界面トラップ密度(D_it,9.1×10¹¹cm^-2eV^-1)に付随したヒステリシス特性へ変化した。続く4.0×10^-3s間の3.7×10⁴W/cm²での940nmレーザアニーリングは,τ_effを1.7×10^-3sへ著しく増大させ,D_itを2.1×10¹⁰cm^-2eV^-1へ減少させた。C-V特性におけるヒステリシス現象は減少した。レーザアニーリングはプラズマ誘起キャリア再結合及びトラップ状態の密度を効果的に低減した。しかし,4.0×10⁴W/cm²の高パワー強度によるレーザアニーリングは,ヒステリシス特性なしの低τ_eff及び高D_itに付随した厳しい熱損傷を起こした。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *プラズマ曝露 ,  *キャリア寿命 ,  *レーザアニーリング ,  キャリア再結合 ,  *二酸化ケイ素 ,  *界面 ,  *照射損傷 ,  *少数キャリア ,  単結晶 ,  Czochralski法 ,  *半導体レーザ ,  レーザ照射 ,  電磁波吸収 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス ,  *光伝導
準シソーラス用語： トラップ密度 ,  マイクロ波吸収

分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ損傷 ,  シリコン ,  レーザアニーリング