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J-GLOBAL ID：201502213923169060   整理番号：15A0446965

電界放出誘起エレクトロマイグレーションを用いた懸垂Niナノギャップのトンネル抵抗の制御

Controlling the tunnel resistance of suspended Ni nanogaps using field-emission-induced electromigration

著者 (5件)： TOYONAKA Takahiro (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  MORIHARA Kohei (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  TAKIKAWA Kazuki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  ITO Mitsuki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...) ,  SHIRAKASHI Jun-ichi (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Nakacho, Koganei ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 2  ページ： 02B107-02B107-4  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出誘起エレクトロマイグレーションにより,懸垂Niナノギャップのトンネル抵抗を制御する可能性について報告した。この方法を”活性化”と呼ぶ。懸垂Niナノギャップは,活性化の研究に理想的である。何故ならば,基板を通して流れる漏れ電流が,この構造では抑制されるからである。懸垂Niナノギャップ電極のチップは,SiO₂基板から分離されている。そこで,懸垂Niナノギャップは,活性化中,分離されたトンネル接合として作動すると予想される。活性化を経た後,懸垂Niナノギャップは,明確に,トンネルI-V特性を示した。さらに,活性化法を用いて,懸垂Niナノギャップのトンネル抵抗を調整できた。印加電圧を掃引するとき,素子電流は,高及び低抵抗状態間をスイッチした。結果は,活性化が,ナノメータスケールにおいて,懸垂Niナノギャップの電気的特性を調整する実行可能な方法であることを意味した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 間隙 ,  *ニッケル ,  *懸垂 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *電界放出 ,  活性化 ,  漏れ電流 ,  *電極 ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  *トンネル接合 ,  電流電圧特性 ,  *スイッチング ,  電気抵抗
準シソーラス用語： ナノギャップ ,  *ナノギャップ電極 ,  *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界放出 ,  誘起 ,  エレクトロマイグレーション ,  懸垂 ,  Ni ,  ナノギャップ ,  トンネル抵抗