文献

J-GLOBAL ID：201502214842908000   整理番号：15A0976420

不揮発性メモリデバイスのための導電性ポリマナノ構造薄膜による酸化グラフェン(GO)/還元GO及びその複合材料

Graphene oxide (GO)/reduced-GO and their composite with conducting polymer nanostructure thin films for non-volatile memory device

著者 (4件)： RAY Sekhar C. (Dep. of Physics, Coll. of Sci., Engineering and Technol., Univ. of South Africa, Private Bag X6, Florida, 1710, Sci. ...) ,  BHUNIA Susanta Kumar (Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND) ,  SAHA Arindam (Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND) ,  JANA Nikhil R. (Centre for Advanced Materials, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 146  ページ： 48-52  発行年： 2015年10月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化グラフェン(GO)を,従来のハマーの方法により調製し,続いてヒドラジン水和物を用いた還元処理により還元(rGO)した。さらに,ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT-PSS)導電性ポリマ(CP)のGO/rGOベースの複合材料を調製した。GO/rGO及びCP-GO/rGO薄膜を,空気乾燥に続いてドロップキャスティングによりシリコン基板上に堆積した。不揮発性メモリデバイス製造の可能性を理解するため,GO/rGOとCP-GO/rGO薄膜のミクロ構造,電気的および強誘電体挙動を研究するためのラマン分光法,電圧-電流(I-V)及び分極-電界(P-E)の測定を行なった。ラマン分光測定から得られた結果と同様に電圧-電流(I-V)関係がリニアであることが,GO薄膜が半導体として振る舞い,rGO薄膜が導電体として振る舞う事を示した。合成したGOは,良好なヒステリシスループの対称logJ-V曲線を示し,一方で,rGOは,非常に小さなヒステリシスループの同様の対称曲線を示した。CP-GO/rGOは,正電圧側が非常に小さなヒステリシスループの対称logJ-V曲線を示した。分極-電界(P-E)の測定は,rGOの分極挙動が理想的な抵抗応答であることを示し,一方で,GOとCP-GO/rGOが,I-V測定と一致した(容量と抵抗の複合効果を持つ)非可逆容量応答を持ち,不揮発性メモリデバイスに使用することができる事を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  導電性高分子 ,  ナノ構造 ,  *グラフェン ,  *酸化物 ,  ナノ複合材料 ,  処理
準シソーラス用語： *酸化グラフェン ,  酸化還元処理 ,  導電性ポリマ

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不揮発性メモリ ,  導電性ポリマ ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  酸化グラフェン ,  還元 ,  複合材料