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J-GLOBAL ID：201502214859635490   整理番号：15A1390488

Ge上のInAsナノワイヤの領域選択成長及び垂直トランジスタ応用

Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application

著者 (4件)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  IZHIZAKA Fumiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 7253-7257  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力・高性能のチャネル材料として有望なIII-V化合物半導体とGe材料を用いたSi基板上のヘテロ集積による相補性FETは,キャリア移動度の大きな不整合に因る深刻な問題を抱える。この問題を回避する代替法としての垂直・整列InAsナノワイヤ(NW)のGe上への直接成長と,そして高性能InAs NW-垂直周囲ゲートFETを実証した。Ge(111)基板を被覆するSiN膜にナノ開口配列を設け,この開口部のGeを選択領域として,ダングリングボンドとAsを含むGe初期表面を流束変調エピタクシーにより終端した。低圧MOVPE成長により格子不整合(6.7%)とは無関係に完全に垂直・整列した高品質InAs NWを~100%の収量で得た。Siベースの従来のFETに比し,垂直周囲ゲートによる良好なゲート制御により得られたFETは極めて高い性能(I_d=0.65mA/μm & V_ds=0.5Vのときg_m:2.2mS/μm)を示した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ヒ化インジウム ,  *ゲルマニウム ,  選択成長 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ナノ構造 ,  *配列 ,  *柱状晶 ,  格子不整合 ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  領域選択成長

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  InAs ,  ナノワイヤ ,  領域選択成長 ,  垂直 ,  トランジスタ ,  応用