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J-GLOBAL ID：201502215450421150   整理番号：15A0877814

Ar/H₂のrfマグネトロンスパッタによるSiとSiO₂基板上のシリコンナノワイヤの成長

Silicon nanowire growth on Si and SiO₂ substrates by rf magnetron sputtering in Ar/H₂

著者 (6件)： YAMADA Ikumi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRANO Yutaro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHIMURA Kenkichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI Koji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO Kouichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 6  ページ： 066201.1-066201.4  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤ(SiNW)を熱酸化層ありと無しのSi(100)基板にAr/H₂中でrfマグネトロンスパッタで成長させた。実験にAu薄層を触媒として使用し,顕著でほとんどがランダム配向した多結晶SiNWが形成された。代表的なものは700°C,60分の成長でSiとSiO₂両方の基板で20μm長,直径350nmのサイズである。これらのことは毒性のガスや高温チューブ炉を必要としないSiNWの成長の代替手法を提供する可能性を示しており,産業界の大口径の基板への成長に適している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  混合気体 ,  アルゴン ,  水素 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化層 ,  遷移金属触媒 ,  金属薄膜 ,  多結晶 ,  結晶成長 ,  配向 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *シリコンナノワイヤ ,  ランダム配向 ,  金触媒 ,  半導体ナノワイヤ
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (28件)：

• H. J. Fan, P. Werner, and M. Zacharias, Small 2, 700 (2006).
• S. A. Fortuna and X. Li, Semicond. Sci. Technol. 25, 024005 (2010).
• K. Ostrikov, E. C. Neyts, and M. Meyyappan, Adv. Phys. 62, 113 (2013).
• V. Schmidt, J. V. Wittemann, S. Senz, and U. Gösele, Adv. Mater. 21, 2681 (2009).
• R. Rurali, Rev. Mod. Phys. 82, 427 (2010).

タイトルに関連する用語 (8件)： Ar ,  H2 ,  RF ,  マグネトロンスパッタ ,  Si ,  SiO2 ,  シリコンナノワイヤ ,  成長