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J-GLOBAL ID：201502215563637079   整理番号：15A1399162

DCアーク放電を用いるイオンプレーティングにより作成されたGaドープZnO膜の構造特性への酸素気体流速とGa含有量の効果

Effects of oxygen gas flow rates and Ga contents on structural properties of Ga-doped ZnO films prepared by ion-plating with a DC arc discharge

著者 (6件)： TERASAKO Tomoaki (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama-shi, Ehime 790-8577, JPN) ,  NOMOTO Junichi (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  MAKINO Hisao (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Naoki (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  SHIRAKATA Sho (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama-shi, Ehime 790-8577, JPN) ,  YAMAMOTO Tetsuya (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 596  ページ： 24-28  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCアーク放電を用いるイオンプレーティングにより作成されたc-軸配向多結晶GaドープZnO(GZO)膜の構造特性を,蒸着プロセス中のチャンバー内に導入する酸素気体流速度(F_O2)およびGZO焼結ペレット中のGa₂O₃含有量に関して研究した。X-線回折(XRD)測定は,GZO膜がa-軸方向(面内)にそって残留圧縮応力を持ち,c-軸方向(面外)に沿って伸張応力を持つことを明らかとした。F_O2の増加またはGa₂O₃含有量の増加は,いわゆる原子ピ-ニング効果により誘起される面内圧縮応力の緩和に有効である。キャリヤ濃度(n)と基本セル体積(V)の間の正の相関は,Znサイトへを置換するGa原子の取込み(Ga_Zns)とn型真性欠陥または複合欠陥の発生により生じる。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アーク放電 ,  *イオンめっき ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ガリウム ,  多結晶 ,  配向 ,  *流速 ,  *酸素 ,  焼結 ,  *化学組成 ,  構造特性 ,  *残留応力 ,  圧縮応力 ,  *緩和現象 ,  置換型原子 ,  複合欠陥
準シソーラス用語： DCアーク放電 ,  アークイオンプレーティング ,  c軸配向 ,  残留圧縮応力

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： DC ,  アーク放電 ,  イオンプレーティング ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  構造特性 ,  酸素 ,  気体流速 ,  含有量