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J-GLOBAL ID：201502215863760395   整理番号：15A1241774

EUVリソグラフィーのためのリンス材料やプロセスの評価

Evaluation of rinse material and process for EUV lithography

著者 (2件)： YAMAMOTO Kazuma (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN) ,  ITANI Toshiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9422  号： Pt.2  ページ： 94221Y.1-94221Y.7  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ10nmノードの半導体集積回路の大量生産に極端紫外線(EUV)リソグラフィー法を利用する場合,EUVレジストでパターン欠陥が発生する。この解決にリンスを利用したが,狭いピッチでは,クリティカルディメンション(CD)シフトやパターンブリッジングが起こった。これらの効果を低減するために,リンス材料について検討した。EUVレジストと界面活性剤の親和性の関係で,レジストパターンに界面活性剤が浸透して,パターンブリッジングとCDシフトが起こった。レジスト変形モデルを構築し,リンス材料の最適化を行った。各材料の溶解度パラメータ値を計算し,親和性を導出した。溶解度パラメータ値と界面活性剤の浸透との相関を示した。パターン変形を調べ,パラメータ値と浸透には,良好な相関が存在することが分かった。親和性の低い界面活性剤を利用したリンス材料で,パターニングの性能を向上できる。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  回路パターン形成 ,  極端紫外線 ,  洗浄 ,  洗浄剤 ,  キャラクタリゼーション ,  *半導体プロセス ,  微細加工 ,  大量生産 ,  *フォトレジスト ,  長さ ,  界面活性剤 ,  親和性 ,  溶解度パラメータ ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  *EUVレジスト ,  クリティカルディメンジョン ,  リンス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： EUVリソグラフィー ,  リンス ,  プロセス ,  評価