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J-GLOBAL ID:201502215970581215   整理番号:15A0996024

閉空間昇華により成長したAgGaTe2,AgAlTe2及びAg(Ga,Al)Te2の結晶学的特徴

Crystallographic Characterization of AgGaTe2, AgAlTe2, and Ag(Ga,Al)Te2 Grown by Closed-Space Sublimation
著者 (6件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 3013-3017  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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AgGaTe<sub>2</sub>,AgAlTe<sub>2</sub>及びAg(Ga,Al)Te<sub>2</sub>の層を,閉空間昇華法によってc平面サファイア基板上に成長させた。そして,AgGaTe<sub>2</sub>及びAgAlTe<sub>2</sub>の結晶学的性質をX線回折(XRD)により分析した。両方の層のXRDスペクトルに非常に強力な112の回折ピークを観測し,両方の層において(112)配向が支配的であることが明らかであった。AgAlTe<sub>2</sub>層の配向と領域構造をXRD極点図形測定により注意深く分析し,基板表面の原子配列のAgAlTe<sub>2</sub>層の結晶性への影響について調査した。極点図形画像に基づいて,6種類の{112}領域をその層中に確認し,その層をc平面サファイア基板表面上に形成した場合に,1つの領域中の[<span style=text-decoration:overline>1</span>10]がサファイアのa軸と一致すると見做した。結晶学的特性抽出に加えて,Ag(Ga,Al)Te<sub>2</sub>層の光学的性質を透過率測定に基づいて評価した。透過スペクトルから求めた光学的バンドギャップは,およそ2.0eVであった。この値はAgGaTe<sub>2</sub>とAgAlTe<sub>2</sub>のバンドギャップ値の間であった。この結果はAgGaTe<sub>2</sub>とAgAlTe<sub>2</sub>の合金がうまく成長していることを示した。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  X線回折法 

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