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J-GLOBAL ID：201502216082138989   整理番号：15A1103734

SOI基板上への高密度Geナノドットの形成-フォトニック結晶による発光効率改善を目指して-

Formation of high density Ge-nanodots on SOI substrates-Aiming at enhancement of emission from Ge-nanodots using photonic crystal-

著者 (8件)： 森岡真 (長岡技科大) ,  渡邊航大 (長岡技科大) ,  冨田政隆 (長岡技科大) ,  豊田英之 (長岡技科大) ,  加藤有行 (長岡技科大) ,  玉山泰宏 (長岡技科大) ,  上林利生 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 179(CPM2015 31-45)  ページ： 51-55  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトニック結晶の共振効果による発光強度の増大を目指して,ガスソースMBE法を用いてSOI基板上にゲルマニウム(Ge)ナノドットの形成を行うと共に,走査型トンネル顕微鏡(STM)により表面形態を観察した。またSiCキャップ層を形成したサンプルの低温フォトルミネッセンス(PL)測定により,Geナノドットからと考えられる発光を確認した。さらに有限差分時間領域(FDTD)シミュレーションによりGeナノドットからの発光を増大させるフォトニック結晶の構造を求めた。(著者抄録)

シソーラス用語： *固体素子 ,  *ナノ構造 ,  *ゲルマニウム ,  密度 ,  プリント基板 ,  *フォトニック結晶 ,  効率 ,  共振 ,  放射強度 ,  MBE成長 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： SOI基板 ,  ガスソースMBE ,  *ナノドット ,  高密度 ,  発光強度 ,  発光効率 ,  *発光素子

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (18件)：

• J. Drucker, "Self-Assembling Ge(Si)/Si(100) Quantum Dots", IEEE J. Quantum Electron., vol.38, pp.975-987 (2002).
• Y. Shiraki, and A. Sakai, "Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties", Surf. Sci. Rep., vol.59, pp.153-207 (2005).
• H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, and S. Fukatsu, "Island formation during growth of Ge on Si(100): A study using photoluminescence spectroscopy", Appl. Phys. Lett., vol.66, pp.3024-3026 (1995).
• O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, "Influence of pre-grown carbon on the formation of germanium dots", Thin Solid Films, vol.321, pp.70-75 (1998).
• V. L. Thanh, P. Boucaud, D. Débarre, Y. Zheng, D. Bouchier, and J.-M. Lourtioz, "Nucleation and growth of self-assembled Ge/Si(001) quantum dots", Phys. Rev. B, vol.58, pp.13115-13120 (1998).

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI基板 ,  高密度 ,  Ge ,  ナノドット ,  フォトニック結晶 ,  発光効率