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J-GLOBAL ID：201502217485031420   整理番号：15A1029862

グラフェンにおける電子照射欠陥と印加応力との相関:分子動力学研究

Correlation between electron-irradiation defects and applied stress in graphene: A molecular dynamics study

著者 (6件)： KIDA Shogo (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  YAMAMOTO Masaya (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  TADA Kazuhiro (Dep. of Electrical and Control Systems Engineering, National Inst. of Technol., Toyama Coll., Toyama 939-8630, JPN) ,  KAWATA Hiroaki (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  HIRAI Yoshihiko (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN) ,  YASUDA Masaaki (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai, Osaka 599-8531, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 5  ページ： 05E127-05E127-6  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子動力学(MD)シミュレーションを行って,グラフェンの電子照射欠陥と印加応力との相関を調べた。グラフェンに引張応力をかけると,吸着原子-空格子点(AV)とStone-Wales (SW)欠陥の数が電子照射下で増大したが,単一空格子点の数はかけた応力によって著しくは影響されなかった。AV欠陥の活性化エネルギーと損失エネルギー両方と,SW欠陥の活性化エネルギーは,グラフェンに引張応力をかけると,低下した。引張応力をかけると,SW欠陥形成に伴う圧縮応力も緩和した。これら印加応力から誘起された効果によって,電子照射下のAV,SW欠陥形成の増大が起こる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子照射 ,  格子欠陥 ,  計算機シミュレーション ,  引張応力 ,  *空格子点 ,  原子 ,  *複合欠陥 ,  欠陥 ,  活性化エネルギー ,  圧縮応力 ,  照射損傷 ,  吸着原子 ,  照射欠陥 ,  分子動力学シミュレーション ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *Stone-Wales欠陥

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  電子 ,  照射欠陥 ,  印加 ,  応力 ,  相関 ,  分子動力学 ,  研究