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J-GLOBAL ID：201502218619962596   整理番号：15A0223153

InGaN/シリコンヘテロ接合に基づいた狭帯域近赤外検出器

InGaN/silicon heterojunction based narrow band near-infrared detector

著者 (7件)： PILLAI Rajeev (Integrated Micro Sensors Inc., Houston, Texas 77096 and Dep. of Physics, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204) ,  STARIKOV David (Integrated Micro Sensors Inc., Houston, Texas 77096) ,  GANDHI Jateen (Integrated Micro Sensors Inc., Houston, Texas 77096 and Dep. of Physics, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204) ,  DEBNATH Ananya (Dep. of Physics, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204) ,  LI Ruiteng (Dep. of Physics, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204) ,  BONEY Christopher (Integrated Micro Sensors, 10814 Atwell Dr, Houston, Texas 77096) ,  BENSAOULA Abdelhak (Integrated Micro Sensors Inc., Houston, Texas 77096)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 1  ページ： 011205-011205-6  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNデバイスはUVから可視領域にかけて光検出器及び発光デバイスとして大きな可能性を示してきた一方で,その応用の近赤外(NIR)領域への拡張は高インジウム含有量InGaN層の開発で直面された挑戦課題の故にあまり成功してこなかった。ここでは,>70%のIn含有量のInGaNを用いた,NIR領域で測定可能な応答を示す,InGaN/シリコンヘテロ接合構造の開発結果を報告した。達成された結果はInGaN,バッファ層,シリコン界面の間のバンドオフセットがインジウム含有量と共に分光感度が変化する光検出器構造の作製の手段に用い得ることを示した。しかしながら,得られる光応答はなおInGaNとシリコンの両方における光子の吸収によって生成された光応答の組み合わせであることが観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *赤外検出器 ,  バンドオフセット ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  バッファ層 ,  化学組成 ,  近赤外線 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (3件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  シリコン ,  ヘテロ接合 ,  狭帯域 ,  近赤外 ,  検出器