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J-GLOBAL ID：201502219563810604   整理番号：15A1138299

Bi超薄膜のバルクのFermi準位における量子状態および表面状態の役割

Role of Quantum and Surface-State Effects in the Bulk Fermi-Level Position of Ultrathin Bi Films

著者 (10件)： HIRAHARA T. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAI T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HAJIRI T. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  HAJIRI T. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MATSUNAMI M. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  TANAKA K. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KIMURA S. (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  KIMURA S. (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  HASEGAWA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI K. (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 115  号： 10  ページ： 106803.1-106803.5  発行年： 2015年09月04日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ビスマス ,  超薄膜 ,  Fermi準位 ,  *状態 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *電子構造 ,  量子サイズ効果 ,  膜厚
準シソーラス用語： ARPES ,  *表面状態 ,  *量子状態

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  超薄膜 ,  バルク ,  Fermi準位 ,  量子状態 ,  役割