KUMAR Ashutosh について
Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND について
NAGARAJAN S について
Aalto Univ., Aalto, FIN について
SOPANEN M について
Aalto Univ., Aalto, FIN について
KUMAR V について
Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND について
SINGH R について
Indian Inst. of Technol. Delhi, New Delhi, IND について
Semiconductor Science and Technology について
Schottky障壁ダイオード について
1/f雑音 について
強磁性 について
窒化ガリウム について
化合物半導体 について
電流電圧特性 について
不均一性 について
エネルギー密度 について
時間依存性 について
パワー密度 について
ダイオード について
Fe について
GaN について
強磁性 について
Schottky障壁ダイオード について
時間依存 について
雑音特性 について