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J-GLOBAL ID:201502220306626531   整理番号:15A1401144

半導体量子ドットを発光層に用いたQLEDの発光特性

Optical characteristics of QLED with Semiconductor Quantum Dot as Emissive Layer
著者 (5件):
資料名:
巻: 115  号: 255(OME2015 42-49)  ページ: 11-14  発行年: 2015年10月09日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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量子ドットLEDは高い安定性や発光波長の制御性から新規発光素子として注目されている。本研究では,我々は発光層にCuInS2/ZnS量子ドットを用いた逆型QLEDについて報告する。最初にCuInS2/ZnS量子ドットを原料比率や熱処理条件の異なる二種類の方法でそれぞれ合成した。43,000Gの遠心分離でCuInS2/ZnS量子ドット分散液中に含まれている不純物や副生成物を除去した後の有機成分比率は53%であり,市販品より若干洗浄が不十分であった。次に合成したCuInS2/ZnS量子ドットの内,630nmの蛍光中心波長を有するCuInS2/ZnS量子ドットを用いてQLED素子を作製した。最大輝度は88cd/m2,最大電流効率は0.12cd/Aで中心発光650nmの赤色発光を得た。(著者抄録)
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分類 (2件):
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発光素子  ,  半導体のルミネセンス 
引用文献 (10件):
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