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J-GLOBAL ID：201502220375461447   整理番号：15A0877794

エピタキシャルラテラル被覆成長を用いて製造したGaNベース垂直共振器型面発光レーザの室温連続波動作

Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated using epitaxial lateral overgrowth

著者 (6件)： IZUMI Shouichiro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUUTAGAWA Noriyuki (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAMAGUCHI Tatsushi (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MURAYAMA Masahiro (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KURAMOTO Masaru (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  NARUI Hironobu (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 6  ページ： 062702.1-062702.3  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全誘電体リフレクタを持つエピタキシャル横方向被覆成長で製造されたGaNベース垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)の室温連続動作を実証した。VCSELは,波長446nmで閾値電流8mA,閾値電圧4.5Vを示した。GaN基板が高い熱伝導率を持つために大きな電流開口の作成が可能であり,電流開口が直径8-μmに対して最大出力パワーは0.9mWであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  *連続波 ,  *室温 ,  *エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  電流 ,  電圧 ,  熱伝導率 ,  *レーザ出力 ,  横方向成長 ,  閾値電圧 ,  閾値電流
準シソーラス用語： *被覆成長

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (18件)：

• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
• T. Someya, K. Tachibana, J. Lee, T. Kamiya, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1424 (1998).
• Y.-K. Song, H. Zhou, M. Diagne, I. Ozden, A. Vertikov, A. V. Nurmikko, C. Carter-Coman, R. S. Kern, F. A. Kish, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 74, 3441 (1999).
• E. Hashemi, J. Gustaysson, J. Bengtsson, M. Stattin, G. Cosendey, N. Grandjean,and Å. Haglund, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JG04 (2013).

タイトルに関連する用語 (5件)： 被覆成長 ,  GaN ,  垂直共振器型面発光レーザ ,  室温 ,  連続波