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J-GLOBAL ID：201502220477356192   整理番号：15A1041593

GeSn関連のIV族半導体物質の成長と応用

Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials

著者 (6件)： ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Frankfurt (Oder), DEU) ,  KUROSAWA Masashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Wakana (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKASHITA Mitsuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Science and Technology of Advanced Materials (Web)  (Science and Technology of Advanced Materials (Web))
巻： 16  号： 4  ページ： 043502 (WEB ONLY)  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： U7009A  ISSN： 1878-5514  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siベースナノエレクトロニクス開発用のGe_1-xSn_x関連のIV族半導体物質の技術をレビューした。Ge_1-xSn_x関連から,エレクトロニクスばかりでなくオプトエレクトロニクスにおいても種々の応用を実現するための,結晶成長,歪構造とエネルギーバンド整列の新規な工学が生じた。Ge_1-xSn_x関連,薄膜の結晶成長の最近の達成と薄膜,金属/Ge_1-xSn_xおよび絶縁体//Ge_1-xSn_x界面の電子的性質の研究を紹介した。またGe_1-xSn_x物質について結晶成長,エネルギーバンド工学とデバイス応用の最近の研究を,Ge_1-xSn_x関連物質を用いる電子素子の報告された性能と共にレビューした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム合金 ,  *スズ含有合金 ,  半導体 ,  *電子技術 ,  *結晶成長 ,  *バンド構造 ,  アラインメント ,  層 ,  *半導体薄膜 ,  界面 ,  *オプトエレクトロニクス ,  *半導体素子
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  整列 ,  歪み層

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (176件)：

• Zaima S 2013 Japan. J. Appl. Phys. 52 030001
• Kouvetakis J, Menendez J and Chizmeshya A V G 2006 Annu. Rev. Mater. Res. 36 497
• Soref R 2010 Silicon 2 1
• Jenkins D W and Dow J D 1987 Phys. Rev. B 36 7994
• Soref R A and Friedman L 1993 Superlattices Microstruct. 14 189

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体物質 ,  成長 ,  応用