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J-GLOBAL ID：201502220884620295   整理番号：15A1061835

酸化アルミニウムテンプレート製作における陽極酸化工程がSiナノ細線アレイの選択成長におよぼす効果

Effects of anodization process of aluminum oxide template fabrication on selective growth of Si nanowire arrays

著者 (7件)： NGUYEN Van Hoang (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Fukushima, JPN) ,  NGUYEN Van Hoang (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TUTASHKONKO Sergii (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Fukushima, JPN) ,  TUTASHKONKO Sergii (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HOSHI Yusuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  USAMI Noritaka (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Fukushima, JPN) ,  USAMI Noritaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 8S1  ページ： 08KA02.1-08KA02.6  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽極酸化アルミニウム(AAO)テンプレートの陽極酸化工程が,ガス源分子線エピタクシーによるSiナノ細線の選択成長におよぼす影響を調べた。陽極酸化電流を数箇所の段階でオフすると,Siナノ細線アレイ成長に重要な因子であるSi表面の構造が変化する。電流比10%で,陽極酸化電流のスイッチ点を適当に選ぶと,Siナノ細線の選択成長が有利になり,1μm長のSiナノ細線アレイも成長できた。興味深いことは,その構造はエピタキシャルであるが,AAOの長時間陽極酸化は,Si表面の陽極酸化のために,Siナノ細線成長には不利である。結果として,Siナノ細線アレイの密度が中程度になり,構造的に多結晶になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *鋳型効果 ,  *酸化アルミニウム ,  *アノード酸化 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  配列 ,  *MBE成長 ,  *選択成長 ,  表面構造 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ナノ細線 ,  陽極酸化 ,  カス源分子線エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• Web [http://www.jst.go.jp/renewable/en/project.html].
• L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, M.-Y. Shih, S. F. LeBoeuf, M. Pietrzykowski, P. J. Codella, B. A. Korevaar, O. V. Sulima, J. Rand, A. Davuluru, and U. Rapol, J. Nanophotonics 1, 013552 (2007).
• V. H. Nguyen, H. Watanabe, Y. Hoshi, T. Kiguchi, T. Konno, S. Samukawa, and N. Usami, Proc. IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC 2013), 2013, p. 2443.
• J. B. Hannon, S. Kodambaka, F. M. Ross, and R. M. Tromp, Nature 440, 69 (2006).
• V. H. Nguyen, in preparation for publication.

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化アルミニウム ,  テンプレート ,  製作 ,  陽極 ,  酸化工程 ,  Si ,  ナノ細線 ,  アレイ ,  選択成長