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J-GLOBAL ID:201502221425731692   整理番号:15A1171358

SOA限界に近い電気ストレス下での高速SiGe:C HBTの信頼性

Reliability of high-speed SiGe:C HBT under electrical stress close to the SOA limit
著者 (9件):
資料名:
巻: 55  号: 9-10  ページ: 1433-1437  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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安全動作領域(SOA)限界に近い電気ストレス下での高速SiGe:C HBTの信頼性を解析しモデル化する。このトランジスタを対象とする応用に応じて選択されたバイアス条件で,1000時間までの長時間ストレス試験を行う。エージング試験の間,ベースとコレクタ電流の進展を解析するために,Gummelプロットを固定時間に測定する。低レベル注入では,ベース電流の増加を観察したが,一方,コレクタ電流は,Vbeの全範囲で1000時間エージングの間一定のままである。2D TCADシミュレーションによって,ベース電流のこの進展は,エミッタ-ベース接合周囲でのトラップ活性化に起因する。TCADシミュレーション結果に基づいて,HiCUM L2 v2.33で実施した微分方程式を用いてエージング則を提案する。この信頼性認識コンパクトモデルは,設計者が本物の回路を実際に作製する十分な前に,設計手順の早い段階で,信頼性認識回路アーキテクチャを作成することを可能にする。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  トランジスタ 
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