JACQUET T. について
IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA について
JACQUET T. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA について
SASSO G. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA について
CHAKRAVORTY A. について
Dept. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol., Madras, IND について
RINALDI N. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA について
AUFINGER K. について
Infineon Technologies AG, Neubiberg, DEU について
ZIMMER T. について
IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA について
D’ALESSANDRO V. について
Dep. of Electrical Engineering and Information Technol., Univ. of Naples Federico II, Naples, ITA について
MANEUX C. について
IMS Lab., Univ. of Bordeaux, UMR CNRS 5218, Cours de la Liberation, 33405 Cedex Talence, FRA について
Microelectronics Reliability について
信頼性 について
HBT【トランジスタ】 について
半導体材料 について
ケイ素 について
ゲルマニウム について
許容限界 について
高速度 について
電流電圧特性 について
モデリング について
計算機シミュレーション について
SiGe について
SOA について
高速 について
固体デバイス計測・試験・信頼性 について
トランジスタ について
SOA について
限界 について
ストレス について
SiGe について
HBT について