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J-GLOBAL ID：201502221467213861   整理番号：15A1021631

ゲート誘電体としてグアニンを使うFETの潜在的応用におけるグラフェンベースのテストプラットフォーム

Graphene-based Test Platform in Potential Application for FET with Guanine as Gate Dielectric

著者 (13件)： WILLIAMS Adrienne D. (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  WILLIAMS Adrienne D. (Wright State Univ., Dep. of Physics, 45435, Dayton, OH, USA) ,  OUCHEN Fahima (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  KIM Steve S. (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  NGO Yen H. (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  ELHAMRI Said (Univ. of Dayton, Dep. of Physics, 45469, Dayton, OH, USA) ,  SIWECKI Arthur (Univ. of Dayton, Dep. of Physics, 45469, Dayton, OH, USA) ,  MOU Shin (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  CAMPO Eva M. (Univ. of Bangor, School of Electronic Engineering, LL57 1UT, Bangor, Wales, GBR) ,  CAMPO Eva M. (Univ. of Texas at San Antonio, Dep. of Physics and Astronomy, 78249, San Antonio, TX, USA) ,  KOZLOWSKI Gregory (Wright State Univ., Dep. of Physics, 45435, Dayton, OH, USA) ,  NAIK Rajesh R. (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA) ,  GROTE James (Wright-Patterson, AFB, Materials and Manufacturing Directorate, Air Force Res. Lab., 45433, Fairborn, OH, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 10  ページ： 3481-3485  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオベース電界効果トランジスタとしての潜在的応用に向け,厚さ60nmのグアニン層とポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)層を,それぞれ物理蒸着とスピン被覆によって作製した。グアニンおよびPMMA層用の基板として,各種のフレキシブル,非フレキシブル支持体上の少数層のグラフェンを用いた。これらの層とグラフェンの相互作用を調査し,グラフェンの電気的性質におよぼすその影響を長期間にわたって監視した。グアニンはグラフェンの輸送特性に何ら目立った影響がなかった。PMMAの存在はグラフェンの電荷キャリア移動度を最大で42%低下させた。この組合せは,バイオセンサ,環境科学,計算機処理,およびグラフェンベースのエレクトロニクスにおけるデバイスとしての利用の可能性がある。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society (outside the USA). Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *グラフェン ,  転写【遺伝】 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  キャリア移動度 ,  基板 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ゲート絶縁膜 ,  窒素複素環化合物 ,  ヒドロキシ化合物
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  *バイオ電界効果トランジスタ ,  保護層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： グアニン

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート誘電体 ,  グアニン ,  FET ,  応用 ,  グラフェン ,  テスト ,  プラットフォーム