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J-GLOBAL ID：201502221511303260   整理番号：15A0744456

単原子層半導体FETにおける電子移動のシミュレーション

Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs

著者 (5件)： TSUCHIYA Hideaki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  TSUCHIYA Hideaki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency) ,  KANEKO Shiro (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  MORI Noriyasu (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  HIRAI Hideki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
資料名： Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web)  (Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web))
巻： 2  号： 1  ページ： 127-152 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0612A  ISSN： 2188-5303  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,Si,Ge,及びCの要素によって構成された単原子層半導体FETのデバイス性能について記述した。始めに,筆者等はシリセンナノリボン(SiNR),ゲルマネンナノリボン(GeNR)及びグラフェンナノリボン(GSR)の潜在性能を示した。それは,全てのデバイスが電界効果型トランジスタ(FET)用チャネル材料としてスイッチオフに対する十分なバンドギャップを持っているということである。ここでは,0.5eV以下の同じバンドギャップでの比較においては,理想的な移動状態下でGNR FETがSiNR FETやGeNR FETよりも優位性を保っていることを示したが,同時に,SiNRやGeNRも高性能FETに対しては魅力のあるチャネル材料であることを示した。次に,筆者等はゲルマネンの電子バンド構造及び電子易動度について計算を行った。そのゲルマネンは水素終端としたGe単原子層である。ここでは,ゲルマネンがナノリボン構造でなくても1eVよりも大きなバンドギャップを持っていること,及び有効質量がバルクGeより小さいことを示した。従って,ゲルマネンは,FETのチャネルとしても有望な2次元材料である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  *単原子層 ,  バンドギャップ ,  グラフェン ,  リボン結晶 ,  *電子移動 ,  有効質量 ,  シミュレーション ,  バンド構造 ,  半導体材料 ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  強束縛近似 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： Ge ,  シリセン ,  タイトバインディング近似 ,  ナノリボン

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (37件)：

• [1] International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/, 2013.
• [2] C. H. Wann, K. Noda, T. Tanaka, M. Yoshida, C. Hu: A comparative study of advanced MOSFET concepts, IEEE Trans. Electron Devices, 43:10 (1996) 1742-1753.
• [3] Y.-K. Choi, K. Asano, N. Lindert, V. Subramanian, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu: Ultrathin-body SOI MOSFET for deep-sub-tenth micron era, IEEE Electron Devices Lett., 21:5 (2000) 254-255.
• [4] D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, H. Takeuchi, K. Asano, C. Kuo, E. Anderson, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu: FinFET - A self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm, IEEE Trans. Electron Devices, 47:12 (2000), 2320-2325.
• [5] B. Yu, L. Chang, S. Ahmed, H. Wang, S. Bell, C.-Y. Yang, C. Tabery, C. Ho, Q. Xiang, T.-J. King, J. Bokor, C. Hu, M.-R. Lin, D. Kyser: FinFET scaling to 10nm gate length, in Proc. 2002 Int’l Electron Devices Meeting (IEDM 2002), San Francisco, 2002, 251-254.

タイトルに関連する用語 (4件)： 単原子層 ,  FET ,  電子移動 ,  シミュレーション