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J-GLOBAL ID：201502228055774560   整理番号：15A0540627

0.18μm CMOSプロセスで製作されたサイズ縮小二次元集積磁気センサ

Size-reduced two-dimensional integrated magnetic sensor fabricated in 0.18-μm CMOS process

著者 (3件)： KIMURA Takayuki (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Coll. of Engineering, Ibaraki Univ., 4-12-1, Nakanarusawa, Hitachi ...) ,  UNO Kazuya ,  MASUZAWA Toru
資料名： IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  (IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻： 10  号： 3  ページ： 345-349  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1854A  ISSN： 1931-4973  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気自己浮上モータに使用するためにサイズを縮小するために二次元集積磁気センサを調べた。この二次元集積磁気センサはHallセンサの16×16アレイで構成され,0.18μm相補型金属酸化物半導体(CMOS)標準プロセスにより製作された。Hall要素のサイズは1×1,2×2,3×3および6×6μm²である。寸法1×1μm²のHall要素は製作プロセス規則で最小のサイズである。Hall要素を埋め込んだ一つの画素の寸法は20×20μm²である。4つのサイズのアレイHall要素の平均感度はDC磁場で約0.140mV/mTであった。Hallセンサの4つのサイズでの製品感度は約0.089mV/(mA-mT)であり,これは従来の感度より優れている。製品感度の劣化は縮小サイズHall要素には見られなかった。これらの結果から,サイズ1×1μm²のHall要素は磁気浮上モータの羽根車位置を検出するのに十分な感度を持つことが分かった。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *センサ ,  *磁気センサ ,  半導体プロセス ,  サイジング ,  縮小 ,  二次元 ,  半導体集積回路 ,  電動機 ,  磁気浮上 ,  *Hall素子
準シソーラス用語： *Hallセンサ ,  CMOSプロセス ,  サイズ縮小

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  磁気の計測法・機器  (AD07060U)

引用文献 (8件)：

• Kimura T, Takasaki K, Masuzawa T. Characteristics of a two-dimensional integrated magnetic sensor for position sensing and motor control, IEEJ Transaction on Electrical and Electronic Engineering 2006; 1:188-193.
• Kimura T, Yokoyama Y, Masuzawa T. Frame rate improvement for two-dimensional integrated magnetic sensor. ITE Journal 2010; 64:416-418 (in Japanese).
• Kimura T, Furuya H, Masuzawa T. Investigation of sensitivity of two-dimensional integrated magnetic sensor fabricated in sub-micron CMOS process. ITE Journal 2011; 65:364-366 (in Japanese).
• Kimura T, Uno K, Murofushi W, Masuzawa T. Investigation on the characteristics of magnetic sensor sensitivity in high-frame-rate sensing. International Conference on Electrical Engineering 2012, 2012; P-FS2-23.
• Gallagher RV Corak WS. A metal-oxide-semiconductor (MOS) HALL element. Solid-State Electronics 1966; 9:571-580.

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSプロセス ,  製作 ,  サイズ縮小 ,  集積 ,  磁気センサ