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J-GLOBAL ID:201502230702741119   整理番号:15A0564655

マグネトロンスパッタリングにより堆積したアモルファスZr-Ni-Sn薄膜の熱電特性

Thermoelectric Properties of Amorphous Zr-Ni-Sn Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering
著者 (7件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1957-1962  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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厚さ60nmから400nmのn型Zr-Ni-Sn熱電薄膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより堆積した。Zr-Ni-Sn薄膜の微細構造を,X線回折法及び高分解能透過型電子顕微鏡で調べ,アモルファスの微細構造であることを明らかにした。このアモルファス膜の熱伝導率を,超高速レーザーポンププローブサーモリフレクタンス法により測定し,1.4Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>から2.2Wm<sup>-1</sup>K<sup>-1</sup>の値であり,薄膜のアモルファス微細構造に因りバルク材料のそれよりも小さいことを明らかにした。組成物に対するスパッタリングパワーの影響,Seebeck係数,および薄膜の電気伝導度を調べた。最大のSeebeck係数と力率は393Kで得られ,それぞれ-112.0μVK<sup>-1</sup>と2.66mWK<sup>-2</sup>m<sup>-1</sup>であった。低い熱伝導率と高い力率は,アモルファスZr-Ni-Sn薄膜が熱電マイクロデバイス用途に対する有望な材料であり得ることを示した。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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熱電デバイス  ,  固体デバイス製造技術一般 

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