文献

J-GLOBAL ID：201502236723062201   整理番号：15A0700919

走査プローブリソグラフィーにより処理したシリコン基板におけるナノホールを用いたPbS量子ドットの位置制御

Position control of PbS quantum dot using nanohole on silicon substrate processed by scanning probe lithography

著者 (4件)： MUKAI Kohki (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  HIROTA Akinobu (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  NAKASHIMA Seisuke (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  NAKASHIMA Seisuke (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DJ02.1-04DJ02.5  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査プローブ顕微鏡(SPM)により描かれた酸化物マスクを用いたナノメータサイズホールの処理の方法を報告し,ナノホールを,単一量子ドットの位置制御に対して使用できることを示した。無開口マスクプロセスを,ナノメータ幅ホールの形成に対して開発した。酸化物マスクのエッジにおいて傾斜角を得るのに使用するプロセス条件及びドライエッチング中における高いSi/酸化物選択性を研究し,量子ドットをトラップするのに十分深いナノホールを作製した。SPM観察は,6ナノPbS量子ドットが,幅10×18nm²及び深さ5nmの最小ナノホールによりトラップされることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *硫化鉛 ,  *位置制御 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ナノ構造 ,  *細孔 ,  *リソグラフィー ,  ドライエッチング ,  *顕微鏡観察 ,  走査型プローブ顕微鏡
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *ナノホール ,  *走査プローブリソグラフィー ,  走査プローブ顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (30件)：

• O. Benson, C. Santori, M. Pelton, and Y. Yamamoto, Phys. Rev. Lett. 84, 2513 (2000), and references therein.
• T. M. Stace, G. J. Milburn, and C. H. W. Barnes, Phys. Rev. B 67, 085317 (2003).
• K. Mukai, J. Nanosci. Nanotechnol. 14, 2148 (2014), and references therein.
• T. Ohshima and H. Z. Song, J. Phys. Soc. Jpn. 72, 87 (2003).
• S. Ohkouchi, N. Ozaki, Y. Sugimoto, H. Ishikawa, and K. Asakawa, J. Cryst. Growth 311, 1819 (2009).

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査プローブリソグラフィー ,  シリコン基板 ,  ナノホール ,  PbS ,  量子ドット ,  位置制御