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J-GLOBAL ID：201502240372609672   整理番号：15A0671447

m面とr面のサファイア基板上に成長した(100)配向の酸化インジウムスズ膜

(110)-oriented indium tin oxide films grown on m- and r-plane sapphire substrates

著者 (3件)： CHERN Ming-Yau (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LU Tso-Wen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  XU Wei-Lun (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4  ページ： 045503.1-045503.4  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザー蒸着によって,酸化インジウムスズ(ITO)薄膜を,m面(100)とr面(012)サファイア基板上に蒸着した。両方の基板に対して,高い成長温度と高い酸素圧力の条件下で,膜をそれらの基板面に垂直な[110]方向に成長した。m面基板では,基板との面内エピタキシャル関係は,ITO[001]∥Al₂O₃[020]と,ITO[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0]∥Al₂O₃[001]であることを確認した。r面基板では,2種類の格子整合を観測した。つまり,一つは,ITO[001]∥Al₂O₃[2,1,-1/2]とITO[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0]∥Al₂O₃[4/3,-4/3,2/3],もう一つは,ITO[001]∥Al₂O₃[1,-1,1/2]とITO[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0]∥Al₂O₃[8/3,4/3,-2/3]であった。Hall効果とvan der Pauw法によって,電気的特性を室温で測定した。すべての試料は,3.0×10^-4Ωcmオーダーの低い電気抵抗率,約2.5×10²⁰cm^-3の高いキャリア濃度および70から90cm²V^-1s^-1までの範囲の移動度を有していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  基板 ,  サファイア ,  基板温度 ,  圧力 ,  *結晶方位 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  ヘテロエピタクシー ,  格子整合 ,  *Hall効果 ,  計測 ,  *電気抵抗率 ,  *キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  van der Pauw法 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 酸素圧力

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (15件)：

• H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
• H. Ohta, M. Katniya, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 445, 317 (2003).
• H. Ohta, T. Kambayashi, K. Nomura, M. Hirano, K. Ishikawa, H. Takezoe, and H. Hosono, Adv. Mater. 16, 312 (2004).
• Ch. Y. Wang, V. Lebedev, V. Cimalla, Th. Kups, K. Tonisch, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 90, 221902 (2007).
• M. Yang and S.-H. Hong, Sens. Actuators B 160, 490 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  成長 ,  配向 ,  酸化インジウムスズ