文献

J-GLOBAL ID：200902204635911154   整理番号：04A0035438

透明酸化物半導体p-NiO/n-ZnOで構成したpnヘテロ接合ダイオードに基づくUV検出器

UV-detector based on pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO

著者 (5件)： OHTA H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  KAMIYA M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA T (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Kawasaki, JPN) ,  HOSONO H (JST-ERATO, Kawasaki, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 445  号： 2  ページ： 317-321  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質の標記pnヘテロ接合ダイオードを用いて透明UV検出器を...

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0035438&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物半導体 ,  NiO ,  ZnO ,  PNヘテロ接合 ,  ダイオード ,  UV検出