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J-GLOBAL ID：201502243528353745   整理番号：15A0336479

集積回路故障解析におけるリーク電流研究と関連する欠陥位置確認

Leakage current study and relevant defect localization in integrated circuit failure analysis

著者 (4件)： WU Chunlei (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  WU Chunlei (Product Analysis Lab., Freescale Semiconductor (China) Ltd., Tianjin 300385, CHN) ,  YAO Suying (School of Electronic Information Engineering, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  CORINNE Berges (TLS Analog Quality, Freescale Semiconducteurs France SAS, Toulouse 31023, FRA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 3-4  ページ： 463-469  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路(IC)故障解析(FA)の目的は故障根本原因とメカニズムを見つけて説明することにあり,それがIC設計者や製造者が設計ヤプロセスを改善する助けになる。異なる回路内のリーク電流が様々なIC故障モードを刺激するが,FAの場合には回路内のリーク電流は主たる根本原因である。IC内のリーク電流を調べ関連する欠陥を相補うFA技術の組み合わせで迅速かつ正確に位置確認することは重要である。しかしながら,波及的リーク電流の元になっているリーク電流を同定し関連する欠陥の場所を決定するのは困難である。本稿は,元になるリーク電流で誘起されるフォトン発光の形と場所が,波及的リーク電流によるものと異なることを説明する。一般的に,このフォトン発光スポットの場合だけでなく,この方法は波及的リーク電流から元のリーク電流を同定し,相補的FA技術の組み合わせで関連する欠陥の位置を正確に定めるものである。この一般的方法の適用と関心を示すために,いくつかの他の機能故障の場合を調べた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *故障解析 ,  *漏れ電流 ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  故障モード ,  位置決め ,  欠陥 ,  故障検出 ,  信頼度 ,  光子 ,  発光
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  フォトン ,  リーク電流 ,  位置確認 ,  *集積回路信頼性

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積回路 ,  故障解析 ,  リーク電流 ,  研究 ,  欠陥 ,  位置確認